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参数资料
| 型号： | 1PS226,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 117K |
| 描述： | DIODE 80V 125MA HI-SPEED SC59 |
| 标准包装： | 15,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.2V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500nA @ 80V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 215mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对串联 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SMT3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 1PS226 T/R 1PS226 T/R-ND 934028450115 |
1996 Sep 03 5
NXP Semiconductors
Product data sheet
High-speed double diode 1PS226
Fig.6 Reverse recovery voltage test circuit and waveforms.
(1) IR
= 1 mA.
handbook, full pagewidth
trr
(1)
IF
t
output signal
tr
t
tp
10%
90%
VR
input signal
V = V I x RRF S
R = 50S
Ω
IF
D.U.T.
R = 50i
Ω
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
MGA881
Fig.7 Forward recovery voltage test circuit and waveforms.
tr
t
tp
10%
90%
I
input
signal
R = 50S
Ω
I
R = 50i
Ω
OSCILLOSCOPE
1 kΩ
450
Ω
D.U.T.
MGA882
Vfr
t
output
signal
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1PS300 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:High-speed double diode |
| 1PS300,115 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1PS300115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE 80V 0.17A HI-SPEED SC70 |
| 1PS301 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:High-speed double diode |
| 1PS301,115 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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