参数资料
型号: 1PMT4135
厂商: MICROSEMI CORP
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: surface mount silicon Zener diodes
中文描述: 100 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA
封装: ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, PLASTIC, DO-216, 2 PIN
文件页数: 4/4页
文件大小: 114K
代理商: 1PMT4135
POWERMITE
TM
Low Noise 1 Watt Zener Diodes
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 4
Copyright
2005
5-06-2005 REV G
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
1PMT4614e3 thru 1PMT4627e3,
1PMT4099e3 thru 1PMT4135e3
1PMT461
4-2
7
&
1PMT409
9-4
135
PACKAGE DIMENSIONS & PAD LAYOUT
All dimensions +/-.005 inches
MOUNTING PAD in inches
相关PDF资料
PDF描述
1N2844RA Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
1N2844RB Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
1N2845RA Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
1N2845RB Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
1N5526-1 surface mount silicon Zener diodes
相关代理商/技术参数
参数描述
1PMT4135/TR13 功能描述:DIODE ZENER 100V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):100V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):250 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216 标准包装:12,000
1PMT4135/TR7 功能描述:DIODE ZENER 100V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):100V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):250 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216 标准包装:3,000
1PMT4135C 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Powermite LOW NOISE 1 WATT Zener Diodes
1PMT4135C/TR13 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE - Tape and Reel
1PMT4135C/TR7 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE - Tape and Reel