| 型号: | 1PMT4132 |
| 厂商: | MICROSEMI CORP |
| 元件分类: | 齐纳二极管 |
| 英文描述: | surface mount silicon Zener diodes |
| 中文描述: | 82 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA |
| 封装: | ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, PLASTIC, DO-216, 2 PIN |
| 文件页数: | 1/4页 |
| 文件大小: | 114K |
| 代理商: | 1PMT4132 |

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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1PMT4132/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 82V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):82V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):250 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 62.32V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216 标准包装:12,000 |
| 1PMT4132/TR7 | 功能描述:DIODE ZENER 82V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):82V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):250 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 62.32V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216 标准包装:3,000 |
| 1PMT4132C | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Powermite LOW NOISE 1 WATT Zener Diodes |
| 1PMT4132C/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 82V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):82V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):250 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 62.32V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216 标准包装:12,000 |
| 1PMT4132C/TR7 | 功能描述:DIODE ZENER 82V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):82V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):250 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 62.32V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216 标准包装:3,000 |