参数资料
型号: 1N958
厂商: MICROSEMI CORP
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: METALLURGICALLY BONDED DOUBLE PLUG CONSTRUCTION
中文描述: 7.5 V, 0.417 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AA
封装: HERMETIC SEALED, GLASS, DO-7, 2 PIN
文件页数: 3/3页
文件大小: 167K
代理商: 1N958
Silicon 500 mW Zener Diodes
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
1N957B thru 1N992B, e3 DO-7
1N9
57
B
99
2B,
e3
(DO
-7
)
GRAPHS
TEMPERATURE
CO
EFFICIENT
mV/
o
C
TEMPERATURE
CO
EFFICIENT
%/
o C
RATED
P
O
WER
DISSIPATION
-
mW
Voltage Temperature
Coefficient %/
oC
mV Change /
oC
TL – LEAD TEMPERATURE (
oC) 3/8” FROM BODY
NOMINAL ZENER VOLTAGE (VOLTS)
or TA on FR4 PC BOARD
FIGURE 1
FIGURE 2
POWER DERATING CURVE
ZENER VOLTAGE TEMPERATURE
COEFFICIENT vs. ZENER VOLTAGE
PACKAGE DIMENSIONS
All dimensions in: INCH
Microsemi
Scottsdale Division
Page 3
Copyright
2005
10-18-2005 REV C
FIGURE 3
mm
CAPACITANCE vs. ZENER VOLTAGE
(TYPICAL)
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
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PDF描述
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1PMT4131 POWER SUPPLY 40W 12-24VDC 1.05A
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参数描述
1N958A 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Silicon 500 mW Zener Diodes
1N958B 功能描述:稳压二极管 7.5V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
1N958B BK 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):5.5 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:75μA @ 5.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500
1N958B TR 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):5.5 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:75μA @ 5.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000
1N958B 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Diode