参数资料
| 型号： | 1N6381G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS 1500W 52.9V UNIDIRECT AXIAL |
| 产品变化通告： | Specification Update Storage Temp Range 14/Aug/2008 Product Obsolescence 30/Sept/2009 |
| 标准包装： | 500 |
| 系列： | Mosorb™ |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 45V |
| 电压 - 击穿： | 52.9V |
| 功率（瓦特）： | 1500W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-201AD，轴向 |
| 供应商设备封装： | 轴向 |
| 包装： | 散装 |
1N6373 - 1N6381 Series (ICTE-5 - ICTE-36)
TYPICAL PROTECTION CIRCUIT
Z in
V in
LOAD
V L
OVERSHOOT DUE TO
V in (TRANSIENT)
V
V in (TRANSIENT)
V
INDUCTIVE EFFECTS
V L
V L
V in
t d
t D = TIME DELAY DUE TO CAPACITIVE EFFECT
Figure 8.
t
http://onsemi.com
5
Figure 9.
t
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 1N6381RL4G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors |
| 1N6382 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:Zener Transient Voltage Suppressors Unidirectional and Bidirectional |
| 1N6382/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 8.0V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6382/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 8.0V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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