参数资料
| 型号： | 1N6374G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS 1500W 9.4V UNIDIRECT AXIAL |
| 产品变化通告： | Specification Update Storage Temp Range 14/Aug/2008 Product Obsolescence 06/Oct/2006 |
| 标准包装： | 500 |
| 系列： | Mosorb™ |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 8V |
| 电压 - 击穿： | 9.4V |
| 功率（瓦特）： | 1500W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-201AD，轴向 |
| 供应商设备封装： | 轴向 |
| 包装： | 散装 |
1N6373 - 1N6381 Series (ICTE-5 - ICTE-36)
TYPICAL PROTECTION CIRCUIT
Z in
V in
LOAD
V L
OVERSHOOT DUE TO
V in (TRANSIENT)
V
V in (TRANSIENT)
V
INDUCTIVE EFFECTS
V L
V L
V in
t d
t D = TIME DELAY DUE TO CAPACITIVE EFFECT
Figure 8.
t
http://onsemi.com
5
Figure 9.
t
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N6380RL4 | TVS 1500W 42.4V UNIDIRECT AXIAL |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 1N6374HE3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 8.0V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6374HE3/73 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 8.0V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6374HE3_A/C | 功能描述:TVS DIODE 8VWM 11.5VC 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101，TransZorb? 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:8V 电压 - 击穿（最小值）:9.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:11.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:100A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA，DO-27，轴向 供应商器件封装:1.5KE 标准包装:1,400 |
| 1N6374HE3_A/D | 功能描述:TVS DIODE 8VWM 11.5VC 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101，TransZorb? 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:8V 电压 - 击穿（最小值）:9.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:11.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:100A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA，DO-27，轴向 供应商器件封装:1.5KE 标准包装:1,000 |
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