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参数资料
| 型号： | 12F80 |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 12 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, DO-4, 1 PIN |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 137K |
| 代理商： | 12F80 |
Features
High surge current capability
Avalanche types available
Stud cathode and stud anode version
Wide current range
Types up to 1200V V
RRM
RoHS COmpliant
Typical Applications
Battery charges
Converters
Power supplies
Machine tool controls
Parameters
12F(R)
Units
I
F(AV)
12
A
@ T
C
144
°C
I
F(RMS)
19
A
I
FSM
@ 50Hz
265
A
@ 60Hz
280
A
I2t@ 50Hz
351
A2s
@ 60Hz
320
A2s
V
RRM
range
100 to 1200
V
T
J
range
- 65 to 175
°C
Major Ratings and Characteristics
case style
DO-203AA (DO-4)
12F(R) SERIES
STANDARD RECOVERY DIODES
12 A
1
Stud Version
Bulletin I20205 rev. C 05/06
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 12FR20M | 12 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
| 12F100 | 12 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
| 12F60 | 12 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
| 12FR120M | 12 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
| 12N50W-6 | 0 MHz - 12400 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 12F-80 | 制造商:TRSYS 制造商全称:Transys Electronics 功能描述:STANDARD RECOVERY DIODE |
| 12F80B | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:6,12 and 16 Amp Diffused Silicon Rectifier Diodes |
| 12F80B BN R Y | 功能描述:DIODE 800V 12A COM CATHODE DO-4 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| 12F80M | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Standard Recovery Diodes (Stud Version), 12 A |
| 12F80PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:DIODE 12A 800V |
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