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参数资料
| 型号： | 12F60 |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 12 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, DO-4, 1 PIN |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 137K |
| 代理商： | 12F60 |
12F(R) Series
2
Bulletin I20205 rev. C 05/06
www.irf.com
Voltage
V
RRM, maximum
V
RSM, maximum non-
V
R(BR), minimum
I
RRM max.
Type number
Code
repetitive peak
avalanche
@ T
J = 175°C
reverse voltage
voltage
VV
V
(1)
mA
10
100
150
--
20
200
275
--
40
400
500
12F(R)
60
600
725
750
12
80
800
950
100
1000
1200
1150
120
1200
1400
1350
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Voltage Ratings
I
F(AV)
Max. average forward current
12
A
180° conduction, half sine wave
@ Case temperature
144
°C
I
F(RMS)
Max. RMS forward current
19
A
P
R
Maximum non-repetitive
7
K/W
10μs square pulse, T
J = TJ max.
peak reverse power
see note (2)
I
FSM
Max. peak, one-cycle forward,
265
t = 10ms
No voltage
non-repetitive surge current
280
t = 8.3ms
reapplied
225
t = 10ms
100% V
RRM
235
t = 8.3ms
reapplied
Sinusoidal half wave,
I2t
Maximum I2t for fusing
351
t = 10ms
No voltage
Initial T
J = TJ max.
320
t = 8.3ms
reapplied
250
t = 10ms
100% V
RRM
226
t = 8.3ms
reapplied
I2
√t
Maximum I2
√t for fusing
3510
A2
√s t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
V
F(TO)1 Low level value of threshold
voltage
V
F(TO)2 High level value of threshold
voltage
r
f1
Low level value of forward
slope resistance
r
f2
High level value of forward
slope resistance
V
FM
Max. forward voltage drop
1.26
V
I
pk= 38A, TJ = 25°C, tp = 400μs rectangular wave
Parameter
12F(R)
Units Conditions
6.20
(I >
π x I
F(AV)), TJ = TJ max.
10.70
(16.7% x
π x I
F(AV) < I < π x IF(AV)), TJ = TJ max.
m
Ω
0.97
(I >
π x I
F(AV)), TJ = TJ max.
0.77
(16.7% x
π x I
F(AV) < I < π x IF(AV)), TJ = TJ max.
V
A2s
A
Forward Conduction
(2)
Available only for Avalanche version, all other parameters the same as 12F.
(1)
Avalanche version only available from V
RRM 400V to 1200V.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 12FR120M | 12 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
| 12N50W-6 | 0 MHz - 12400 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR |
| 12N50W-6M | 0 MHz - 12400 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR |
| 12N50W-6F | 0 MHz - 12400 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR |
| 12N50W-3 | 0 MHz - 12400 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 12F-60 | 制造商:TRSYS 制造商全称:Transys Electronics 功能描述:STANDARD RECOVERY DIODE |
| 12F60B | 制造商:Olympic Controls Corporation 功能描述: |
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| 12F60M | 功能描述:整流器 600 Volt 12 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 12F60PBF | 制造商:Vishay 功能描述:Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:DIODE 12A 600V |
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