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ZXMN10B08E6TC

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ZXMN10B08E6TC
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
ZETEX
SOT23-6
最新批号
-
代理此型号.原装正品现货！

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功能描述
MOSFET 100V N-Chnl UMOS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

ZXMN10B08E6TC 技术参数

ZXMN10A25K 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:125 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17.16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:859pF @ 50V 功率 - 最大值:2.11W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252-3 标准包装:2,500 ZXMN10A11K 功能描述:MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:无货 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:350 毫欧 @ 2.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:274pF @ 50V 功率 - 最大值:2.11W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252-3 标准包装:1 ZXMHN6A07T8TA 功能描述:MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.4A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:300 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:166pF @ 40V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-223-8 供应商器件封装:SM8 标准包装:1 ZXMHC10A07T8TA 功能描述:MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 制造商:diodes incorporated 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A，800mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:700 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:138pF @ 60V 功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-223-8 供应商器件封装:SM8 基本零件编号:ZXMHC10A07T8 标准包装:1 ZXMD63P02XTA 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 8-MSOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:270 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250μA（最小）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.25nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:290pF @ 15V 功率 - 最大值:1.04W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）供应商器件封装:8-MSOP 标准包装:1,000 ZXMN2A02X8TA ZXMN2A02X8TC ZXMN2A03E6TA ZXMN2A03E6TC ZXMN2A04DN8TA ZXMN2A04DN8TC ZXMN2A05N8TA ZXMN2A14FTA ZXMN2AM832TA ZXMN2AMCTA ZXMN2B01FTA ZXMN2B03E6TA ZXMN2B14FHTA ZXMN2F30FHQTA ZXMN2F30FHTA ZXMN2F34FHTA ZXMN2F34MATA ZXMN3A01E6TA