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ZNBG3310Q16

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ZNBG3310Q16TC
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生
电话：18823887255
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3003号上步工业区201栋588
资质：营业执照
6500
ZETEX
QSOP16
25+
-
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ZNBG3310Q16 技术参数

ZNBG3211Q20TC 功能描述:MOSFET 3BIAS TONE H/V SWTCH 2.0V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZNBG3210Q20TC 功能描述:MOSFET 3BIAS TONE H/V SWTCH 2.2V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZNBG3118JA16TC 功能描述:线性稳压器 - 标准 LNA GaAs FET BIAS Polarized Band CNTRL RoHS:否制造商:STMicroelectronics 输出类型: 极性: 输出电压:1.8 V 输出电流:150 mA 负载调节: 最大输入电压:5.5 V 线路调整率: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-323-5L ZNBG3115Q20TC 功能描述:MOSFET 3BIAS TONE H/V SWTCH 2.2V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZNBG3115Q16TC 功能描述:MOSFET 3BIAS TONE H/V SWTCH 2.2V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZNCL10R ZNCL10S ZNCL11 ZNCL3B ZNCL3R ZNCL926 ZN-DPS11C-S ZN-DPS11-S ZN-DPS15C-S ZN-DPS15-S ZN-DPX21-S ZN-DPX21-SA ZNH0060H ZNH0100H ZNH0120H ZNH0500H ZNH0600H ZNH1000H