VO221AT全国供应商【买卖IC网】VO221AT资料|PDF Datasheet|价格 Vishay

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

VO221AT
深圳市湘达电子有限公司
深圳市湘达电子有限公司
联系人：朱平
电话：0755-83229772-83202753
地址：办公地址帮我改成深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室
12352
VIS
NA
13+
-
全新原装现货，价格绝对优势，欢迎来电资询...

VO221AT
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
VISHAY/威世
SOP8
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

VO221AT
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
12352
VIS
NA
假一赔十！
-
绝对原装现货！！

VO221AT
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
Vishay Semiconductor Opto
标准封装
16+
-
假一罚十，原装正品

VO221AT
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
12000
VISHAY
标准封装
13+
-
全新原装，现货，价优！

VO221AT
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：刘春兰
电话：19129491434(微信同号)
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
10000
VISHAY
DIP/SOP
2013+
-
原装热卖

VO221AT
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3643
VISHAY/威世
SOP-8
2236+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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功能描述
晶体管输出光电耦合器 SOIC-8 CPL DUAL CTR>100% -E3
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
输入类型
DC
最大集电极/发射极电压
70 V
最大集电极/发射极饱和电压
0.4 V
绝缘电压
5300 Vrms
电流传递比
100 % to 200 %
最大正向二极管电压
1.65 V
最大输入二极管电流
60 mA
最大集电极电流
100 mA
最大功率耗散
100 mW
最大工作温度
+ 110 C
最小工作温度
- 55 C
封装 / 箱体
DIP-4
封装
Bulk

VO221AT 技术参数

VO0611T 功能描述:Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 1 Channel 15kV/μs CMTI 8-SOIC 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产通道数:1 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:1/0 电压 - 隔离:4000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:15kV/μs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极电流 - 输出/通道:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:100ns，100ns 上升/下降时间（典型值）:23ns，7ns 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流 - DC 正向（If）:20mA 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 VO0601T 功能描述:Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 1 Channel 5kV/μs CMTI 8-SOIC 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效通道数:1 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:1/0 电压 - 隔离:4000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:5kV/μs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极电流 - 输出/通道:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:100ns，100ns 上升/下降时间（典型值）:23ns，7ns 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流 - DC 正向（If）:60mA 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 VNW50N04 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 50A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VNW100N04 功能描述:MOSFET N-Ch 100V 42A Omni RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VNV49N0413TR 功能描述:电源开关 IC - 配电 OMNIFET POWER MOSFET RoHS:否制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 VO22315100J0G VO2232500000G VO22325000J0G VO2232510000G VO22325100J0G VO223AT VO2411500000G VO24115000J0G VO2411510000G VO24115100J0G VO2412500000G VO24125000J0G VO2412510000G VO24125100J0G VO2431500000G VO24315000J0G VO2431510000G VO24315100J0G

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