STP2740C08

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STP2740C08
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
NULL
NULL
NULL
-
百分百原装正品，质量保障价格及优

STP2740C08
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
7623
SIPEX
DIP8
2012+
-
只做原装正品。

1/1页 40条/页共4条
1

您是不是要找： STP27N3LH5 STP27N60M2-EP STP28N60DM2 STP28N60M2 STP28N65M2 STP28NM50N STP28NM60ND STP28X0.2MBL STP28X0.2MBU

STP2740C08 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

STP2740C08 技术参数

STP270N8F7 功能描述:MOSFET N CH 80V 180A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:193nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13600pF @ 50V 功率 - 最大值:315W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP270N04 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.9 毫欧 @ 80A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7400pF @ 25V 功率 - 最大值:330W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1,000 STP26NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:175 毫欧 @ 10.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:54.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1817pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP26NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1800pF @ 50V 功率 - 最大值:140W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP265N6F6AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 180A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.85 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:183nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP28X0.2MGR STP28X0.2MIG STP28X0.2MOR STP28X0.2MRD STP28X0.2MVL STP28X0.2MYL STP28X0.5MBL STP28X0.5MBL-Q STP28X0.5MBU STP28X0.5MBU-Q STP28X0.5MGR STP28X0.5MGR-Q STP28X0.5MIG STP28X0.5MIG-Q STP28X0.5MOR STP28X0.5MOR-Q STP28X0.5MRD STP28X0.5MRD-Q