配单专家企业名单

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STP2740C0B
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
1652
原厂品牌
DIP-8
21+
-
量大价优，100%原厂原装现货,热卖库存...

STP2740C0B
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
86500
DIP-8
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！！

STP2740COB
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
JAPAN
DIP8
01+
-
假一罚十，百分百原装正品

STP2740C08
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
NULL
NULL
NULL
-
百分百原装正品，质量保障价格及优

STP2740C0B
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
-
假一罚十，百分百原装正品

STP2740COB
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9800
JAPAN
DIP-8
18+
-
优势库存，原装现货

STP2740C08
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
7623
SIPEX
DIP8
2012+
-
只做原装正品。

STP2740COB
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
13000
JAPAN
DIP-8
1521+
-
全新原装现货

STP2740C0B
深圳市轩盛达电子有限公司
深圳市轩盛达电子有限公司
联系人：陈
电话：1588932848313924772445
地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103
10000
-
原厂原装现货，代找紧缺料

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STP2740C PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

STP2740C 技术参数

STP270N8F7 功能描述:MOSFET N CH 80V 180A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:193nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13600pF @ 50V 功率 - 最大值:315W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP270N04 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.9 毫欧 @ 80A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7400pF @ 25V 功率 - 最大值:330W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1,000 STP26NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:175 毫欧 @ 10.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:54.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1817pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP26NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1800pF @ 50V 功率 - 最大值:140W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP265N6F6AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 180A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.85 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:183nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP28X0.2MGR STP28X0.2MIG STP28X0.2MOR STP28X0.2MRD STP28X0.2MVL STP28X0.2MYL STP28X0.5MBL STP28X0.5MBL-Q STP28X0.5MBU STP28X0.5MBU-Q STP28X0.5MGR STP28X0.5MGR-Q STP28X0.5MIG STP28X0.5MIG-Q STP28X0.5MOR STP28X0.5MOR-Q STP28X0.5MRD STP28X0.5MRD-Q

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