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STB21NM50FD

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    STB21NM50FD

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

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  • STMICROELECTRONICS

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STB21NM50FD 技术参数
  • STB21NK50Z 功能描述:MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):270 毫欧 @ 8.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):119nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2600pF @ 25V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB21N90K5 功能描述:MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):299 毫欧 @ 9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1645pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB21N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):190 毫欧 @ 8.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1950pF @ 100V 功率 - 最大值:125W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB20NM60T4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):290 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):54nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1500pF @ 25V 功率 - 最大值:192W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB20NM60D 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):290 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):52nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1300pF @ 25V 功率 - 最大值:192W 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB23NM50N STB23NM60N STB23NM60ND STB24N60DM2 STB24N60M2 STB24N65M2 STB24NM60N STB24NM65N STB25N80K5 STB25NF06AG STB25NF06LAG STB25NM50N STB25NM50N-1 STB25NM60N STB25NM60N-1 STB25NM60ND STB26N60M2 STB26NM60N
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