1SS300(TE85L,F)

配单专家企业名单

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封装
批号
价格
说明
操作

1SS300(TE85L,F)
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
1400
TOSHIBA
con
24+
-
二极管

1SS300(TE85L,F)
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
1400
TOSHIBA
con
24+
-
二极管

1SS300(TE85L,F)
深圳市大源实业科技有限公司
深圳市大源实业科技有限公司
联系人：李女士
电话：1530261991513762584085
地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室
12000
TOSHIBA(非存储器)
二极管
24+
-
原装，公司部分现货，有单来谈QQ:161...

1SS300(TE85L,F)
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
21000
TOSHIBA
-
现货库存Q

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制造商
Toshiba
功能描述
Diode Switching 85V 0.3A 3-Pin USM T/R
制造商
Toshiba America Electronic Components
功能描述
Diode,SW,Vr=80V,Io=100mA,USM
制造商
Toshiba
功能描述
DIODE

1SS300(TE85L,F) 技术参数

1SS295(TE85L,F) 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 4V SC59-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管配置:1 对串联二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:4V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:30mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:320mV @ 2mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 500mV 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59-3 标准包装:1 1SS294S,LF(D 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:生命周期结束二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:600mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 1SS294,LF 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:600mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 工作温度 - 结:125°C（最大）基本零件编号:1SS294 标准包装:1 1SS272TE85LF 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC61B 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管配置:2 个独立式二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-61AA 供应商器件封装:SC-61B 标准包装:1 1SS250(TE85L,F) 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:60ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 1SS309(TE85L,F) 1SS315TPH3F 1SS319(TE85L,F) 1SS351-TB-E 1SS352,H3F 1SS355 RRG 1SS355TE-17 1SS355-TP 1SS355VMTE-17 1SS356TW11 1SS360(T5L,F,T) 1SS361,LJ(CT 1SS361CT(TPL3) 1SS361FV,L3F(T 1SS361LP3-7 1SS361LPH4-7B 1SS361UDJ-7 1SS362FV,L3F