1PMT5924BT1全国供应商 1PMT5924BT1资料|PDF Datasheet|价格【ON 安森美半导体】

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封装
批号
价格
说明
操作

1PMT5924BT1G
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
4500
ON
DO-216AC
假一赔十！
-
原装自己现货！！

1PMT5924BT1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
ON
DO-216AA
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

1PMT5924BT1G
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ON
7+
-
假一罚十，百分百原装正品

1PMT5924BT1G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品质量保障电话010-62104...

1PMT5924BT1
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ON
92-05+
-
假一罚十，百分百原装正品

1PMT5924BT1G
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
100000
On Semiconductor
N/A
15+
-
原装正品价格优势！

1PMT5924BT1G
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
11630
ON
13+pb
18+
-
原装正品，优势供应

1PMT5924BT1
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
原厂原装
18+
-
原装现货，优势供应

1PMT5924BT1
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
15000
ON
DO-216AA
05+
-
全新原装现货

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功能描述
稳压二极管 9.1V 3.2W Powermite
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

1PMT5924BT1 技术参数

1PMT5924BE3/TR7 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:3,000 1PMT5924BE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:12,000 1PMT5924B/TR7 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:3,000 1PMT5924B/TR13 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:12,000 1PMT5924AE3/TR7 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±10% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:3,000 1PMT5925A/TR13 1PMT5925A/TR7 1PMT5925AE3/TR13 1PMT5925AE3/TR7 1PMT5925B/TR13 1PMT5925B/TR7 1PMT5925BE3/TR13 1PMT5925BE3/TR7 1PMT5925BT1 1PMT5925BT1G 1PMT5925C/TR13 1PMT5925C/TR7 1PMT5925CE3/TR13 1PMT5925CE3/TR7 1PMT5925E3/TR13 1PMT5925E3/TR7 1PMT5926/TR13 1PMT5926/TR7

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