1N4938-1全国供应商 1N4938-1资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

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说明
操作

1N4938-1JAN
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
312
MSC
2007/2008
-
公司现货,只做原装！

1N4938-1
深圳市百润电子有限公司
深圳市百润电子有限公司
联系人：梁
电话：17876146278
地址：沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A
3190
Vishay
SOP-4
23+
-
全新原装正品*海量现货库存*全网最低

1N4938-1
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
只做原装正品欢迎洽谈电话010-62...

1N4938-1
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
100000
MICROSEMI
N/A
15+
-
原装正品价格优势！

1N4938-1JANTXV
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：史仙雁
电话：19129911934（手机优先微信同号）0755-82813018
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
98000
SAMSUNG
TQFP
11/12+
-
全新原装现货库存！400-800-030...

1N4938-1
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
1
MICROSEMI
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

1N4938-1JAN
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
312
MSC
2007/2008
-
公司现货,只做原装！

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1

您是不是要找： 1N4938TR 1N4938UR-1 1N4942 1N4942C.TR 1N4942GP-E3/54 1N4942GP-E3/73 1N4942GPHE3/54 1N4942GPHE3/73 1N4942GP-M3/54

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode Switching 200V 0.1A 2-Pin DO-35
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
SWITING 175V 0.1A 2PIN DO-35 - Bulk
制造商
Microsemi
功能描述
Diode Switching 200V 0.1A 2-Pin DO-35

1N4938-1 技术参数

1N4938_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:30,000 1N4938 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:2,000 1N4937-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4937-T 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4937RLG 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:300ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4942GP-M3/73 1N4944 1N4944GP-E3/54 1N4944GP-E3/73 1N4944GPHE3/54 1N4944GPHE3/73 1N4944GP-M3/54 1N4944GP-M3/73 1N4946 1N4946GP-E3/54 1N4946GP-E3/73 1N4946GPHE3/54 1N4946GPHE3/73 1N4946GP-M3/54 1N4946GP-M3/73 1N4947 1N4947GP-E3/53 1N4947GP-E3/54