1N4102-AP

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1N4102-AP
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
30
MCC
13+
-
原装正品，现货库存

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1N4102-AP 技术参数

1N4102-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N4102 (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 8.7V 400MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 6.61V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N4101UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N4101UR 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6.24V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N4101 (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 400MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 6.24V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N4104 TR 1N4104-1 1N4104UR 1N4104UR-1 1N4105 1N4105 (DO35) 1N4105UR 1N4105UR-1 1N4106 1N4106 (DO35) 1N4106-1 1N4106UR 1N4106UR-1 1N4107 1N4107 (DO35) 1N4107-1 1N4107UR 1N4107UR-1