STD29M33

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STD29M33
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
ST
SOT-252
04+
-
假一罚十，百分百原装正品

STD29M33
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214913352991361
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
S
SOT252
22+
-
十年配单，只做原装

STD29M33
深圳市佳鑫特电子有限公司
深圳市佳鑫特电子有限公司
联系人：陈
电话：134105056520755-83512964
地址：深圳市福田区佳和大厦B座2311
8800
ST
SOT252
11+
-
原厂原包装现货

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您是不是要找： STD2HNK60Z STD2HNK60Z-1 STD2LN60K3 STD2N105K5 STD2N62K3 STD2N80K5 STD2N95K5 STD2NC45-1 STD2NK100Z

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STD29M33 技术参数

STD28P3LLH6AG 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101，STripFET? H6 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1480pF @ 25V 功率 - 最大值:33W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STD2805T4 功能描述:TRANS PNP 60V 5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 200mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:15W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD27N3LH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 27A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:27A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 13.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.6nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:475pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD26P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1450pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STD26NF10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 25A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:38 毫欧 @ 12.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1550pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD2NK60Z-1 STD2NK70Z-1 STD2NK70ZT4 STD2NK90Z-1 STD2NK90ZT4 STD2NM60T4 STD30N10F7 STD30N6LF6AG STD30NE06L STD30NE06LT4 STD30NF03LT4 STD30NF04LT STD30NF06 STD30NF06LT4 STD30NF06T4 STD30PF03L-1 STD30PF03LT4 STD3155L104T4G