SM7745HSV-66.0M

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SM7745HSV-66.0M
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
PLETRONICS
原厂封装
0737+
-
假一罚十，百分百原装正品

SM7745HSV-66.0M-T250
深圳市欧瑞芯电子有限公司
深圳市欧瑞芯电子有限公司
联系人：韩小姐原装、张先生代理、张小姐香港公司
电话：0755-82714889135304089901847561915913682488994
地址：深圳市福田区现代之窗A座11C/香港元朗区宏业西街33号元朗贸易中心206室
资质：营业执照
6500
TI德州仪器
原厂封装
25+
-
原装现货力挺实单

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1

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制造商
Pletronics
功能描述
Oscillator XO 66MHz ±50ppm 15pF (Stability) CMOS 55% 3.3V 4-Pin CLCC SMD

SM7745HSV-66.0M 技术参数

SM74611KTTR 功能描述:DIODE GEN PURP 30V 15A DDPAK 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:15A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:26mV @ 8A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:300nA @ 28V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-4，D2Pak（3 引线+接片），TO-263AA 供应商器件封装:DDPAK/TO-263-3 工作温度 - 结:-40°C ~ 125°C 标准包装:1 SM74104SDX/NOPB 功能描述:IC GATE DRIVER 10WSON 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效驱动配置:半桥通道类型:同步驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:9 V ~ 14 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.6A，1.6A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:118V 上升/下降时间（典型值）:600ns，600ns 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:10-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装:10-WSON（4x4）标准包装:1 SM74104SD/NOPB 功能描述:IC GATE DRIVER 10WSON 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效驱动配置:半桥通道类型:同步驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:9 V ~ 14 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.6A，1.6A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:118V 上升/下降时间（典型值）:600ns，600ns 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:10-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装:10-WSON（4x4）标准包装:1 SM74104MAX/NOPB 功能描述:IC GATE DRIVER 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效驱动配置:半桥通道类型:同步驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:9 V ~ 14 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.6A，1.6A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:118V 上升/下降时间（典型值）:600ns，600ns 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 SM74104MA/NOPB 功能描述:IC GATE DRIVER 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件零件状态:有效驱动配置:半桥通道类型:同步驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:9 V ~ 14 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.6A，1.6A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:118V 上升/下降时间（典型值）:600ns，600ns 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:95 SM802110UMG SM802111UMG SM802116UMG SM802116UMG-TR SM802120UMG SM802120UMG-TR SM802121UMG-TR SM802124UMG SM802124UMG-TR SM802128UMG SM802128UMG-TR SM802134UMG SM802140UMG SM802158UMG SM8035FT100R SM8035FT10R0 SM8035FT150R SM8035FT1K00