PSMN013-30LL

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说明
操作

PSMN013-30LL PB-FREE
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
371000
MOS FET
NXP
1521+
-
全新原装现货

PSMN013-30LL,115
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：梁先生
电话：18823887255(微信同号）
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3003号上步工业区201栋588
资质：营业执照
0
2025+
8-VDFNExposedPad
13500
-
全新原装现货，价格优势，假一罚十

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFETN CH30V21AQFN3333
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET,N CH,30V,21A,QFN3333

PSMN013-30LL 技术参数

PSMN013-100YSEX 功能描述:MOSFET N-CH 100V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:82A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:16nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3775pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:238W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN013-100XS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 35.2A TO220F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35.2A （Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:57.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3195pF @ 50V 功率 - 最大值:48.4W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片供应商器件封装:TO-220F 标准包装:50 PSMN013-100PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 68A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:68A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:59nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3195pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:170W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13.9 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN013-100ES,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:68A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:59nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3195pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:170W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13.9 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:I2PAK 封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 标准包装:50 PSMN013-100BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:68A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:59nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3195pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:170W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13.9 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 PSMN015-100P,127 PSMN015-100YLX PSMN015-110P,127 PSMN015-60BS,118 PSMN015-60PS,127 PSMN016-100BS,118 PSMN016-100PS,127 PSMN016-100XS,127 PSMN016-100YS,115 PSMN017-30BL,118 PSMN017-30EL,127 PSMN017-30LL,115 PSMN017-30PL,127 PSMN017-60YS,115 PSMN017-80BS,118 PSMN017-80PS,127 PSMN018-100ESFQ PSMN018-100PSFQ