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N03B

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  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 甄芯网
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N03B 技术参数
  • N02L83W2AT25I 功能描述:静态随机存取存储器 2MB 3V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray N02L83W2AN25IT 功能描述:静态随机存取存储器 2MB 3V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray N02L83W2AN25I 功能描述:静态随机存取存储器 2MB 3V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray N02L63W3AT25IT 功能描述:静态随机存取存储器 2MB 3V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray N02L63W3AT25I 功能描述:静态随机存取存储器 2MB 3V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray N04L63W1AB27I N04L63W1AB27IT N04L63W1AT27I N04L63W1AT27IT N04L63W2AB27I N04L63W2AT27I N04L63W2AT27IT N050-012 N050X075C1C N050X075C1T N050X075C2C N050X075C2T N050X075CBC N050X075CBD N050X075CBT N050X075FJJ N050X100CBT N050X125C1C
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