MRF373ALSR5

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MRF373ALSR5
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
原厂品牌
原厂封装
最新
-

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北京元坤伟业科技有限公司
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功能描述
射频MOSFET电源晶体管 75W RF PWR LDMOS NI360LS
RoHS
否
制造商
Freescale Semiconductor
配置
Single
晶体管极性
频率
1800 MHz to 2000 MHz
增益
27 dB
输出功率
100 W
汲极/源极击穿电压
漏极连续电流
闸/源击穿电压
最大工作温度
封装 / 箱体
NI-780-4
封装
Tray

MRF373ALSR5 技术参数

MRF327 功能描述:TRANS RF NPN 33V 9A 316-01 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:33V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:9dB 功率 - 最大值:80W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 4A，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:9A 安装类型:底座安装封装/外壳:316-01 供应商器件封装:316-01，1 型标准包装:10 MRF323 功能描述:TRANS RF NPN 33V 1.1A 244-04 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:33V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:11dB 功率 - 最大值:20W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 1A，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2.2A 安装类型:底座安装封装/外壳:244-04 供应商器件封装:244-04，1 型标准包装:20 MRF321 功能描述:TRANS RF NPN 33V 1.1A 244-04 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:33V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:13dB 功率 - 最大值:10W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 500mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.1A 安装类型:底座安装封装/外壳:244-04 供应商器件封装:244-04，1 型标准包装:20 MRF317 功能描述:TRANS RF NPN 35V 12A 316-01 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:35V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:10dB 功率 - 最大值:100W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 5A，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12A 安装类型:底座安装封装/外壳:316-01 供应商器件封装:316-01，1 型标准包装:10 MRF316 功能描述:TRANS RF NPN 35V 9A 316-01 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:35V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:13dB 功率 - 最大值:80W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 4A，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:9A 安装类型:底座安装封装/外壳:316-01 供应商器件封装:316-01，1 型标准包装:10 MRF426 MRF428 MRF429 MRF4427 MRF4427G MRF4427GR1 MRF4427GR2 MRF4427R1 MRF4427R2 MRF448 MRF454 MRF455 MRF49XA-I/ST MRF49XAT-I/ST MRF517 MRF544 MRF553 MRF553G