JAN1N5804US

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

JAN1N5804US
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
SEMTECH
con
24+
-
电子元件

JAN1N5804US
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
SQ-MELF
23+
-
微芯专营优势产品

JAN1N5804US
北京杰创宏达电子有限公司
北京杰创宏达电子有限公司
联系人：沈小姐/伊小姐/张先生
电话：010-61190909
地址：北京市海淀区安宁庄26号悦MOMA701室
资质：营业执照
100
MICROSEMI
IC
25+
-
授权代理商

JAN1N5804US
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：张经理
电话：18653422656
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
SEMTECH
con
24+
-
电子元件

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode Switching 100V 2.5A 2-Pin A-MELF T/R
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) (UFR) - Bulk

JAN1N5804US 技术参数

JAN1N5804URS 功能描述:Diode Standard 100V 1A Surface Mount A-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/477 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:875mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:A-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N5804 功能描述:Diode Standard 100V 2.5A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/477 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:975mV @ 2.5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 10V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N5802US 功能描述:Diode Standard 50V 2.5A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/477 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:975mV @ 2.5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N5802URS 功能描述:Diode Standard 50V 1A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/477 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:875mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N5802 功能描述:Diode Standard 50V 2.5A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/477 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:975mV @ 2.5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 10V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N5811 JAN1N5811URS JAN1N5811US JAN1N5814 JAN1N5816 JAN1N5819-1 JAN1N5819UR-1 JAN1N5819UR-1/TR JAN1N5822 JAN1N5907 JAN1N5968 JAN1N6036A JAN1N6039A JAN1N6043A JAN1N6044A JAN1N6045A JAN1N6047A JAN1N6051A