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JAN1N4944

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    JAN1N4944

    JAN1N4944

  • 深圳市思诺康科技有限公司
    深圳市思诺康科技有限公司

    联系人：张小姐/Vivianvi

    电话：0755-83286481

    地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • A

  • 23+

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  • 微芯专营优势产品

  • JAN1N4944
    JAN1N4944

    JAN1N4944

  • 标准国际(香港)有限公司
    标准国际(香港)有限公司

    联系人：朱小姐

    电话：83617149

    地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质：营业执照

  • 22

  • MICROSEMI

  • 2014+

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  • 公司现货!只做原装!

  • JAN1N4944
    JAN1N4944

    JAN1N4944

  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人：洪先生

    电话：17862669251

    地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质：营业执照

  • 0

  • SEMTECH

  • con

  • 24+

  • -

  • 电子元件

  • JAN1N4944
    JAN1N4944

    JAN1N4944

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 853240

  • 原厂封装

  • 最新批号

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  • 一级代理，原装正品现货！！

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Diode Switching 400V 1A 2-Pin Case A
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • FAST RECTIFIER (100-500NS) (FR) - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi
  • 功能描述
  • Diode Switching 400V 1A 2-Pin Case A
JAN1N4944 技术参数
  • JAN1N4942 功能描述:Diode Standard 200V 1A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/359 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:A，轴向 供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N4938-1 功能描述:Diode Standard 175V 100mA (DC) Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/169 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:175V 电流 - 平均整流（Io）:100mA（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N485B 功能描述:Zener Diode 180V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/118 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:180V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 180V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JAN1N4627UR-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/435 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 JAN1N4627DUR-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/435 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 JAN1N4955CUS JAN1N4955D JAN1N4955DUS JAN1N4955US JAN1N4956 JAN1N4956C JAN1N4956CUS JAN1N4956D JAN1N4956DUS JAN1N4956US JAN1N4957 JAN1N4957C JAN1N4957CUS JAN1N4957D JAN1N4957DUS JAN1N4957US JAN1N4958 JAN1N4958C
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