PD85004

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功能描述
射频MOSFET电源晶体管 RF PWR TRANSISTOR
RoHS
否
制造商
Freescale Semiconductor
配置
Single
晶体管极性
频率
1800 MHz to 2000 MHz
增益
27 dB
输出功率
100 W
汲极/源极击穿电压
漏极连续电流
闸/源击穿电压
最大工作温度
封装 / 箱体
NI-780-4
封装
Tray

PD85004 技术参数

PD84010S-E 功能描述:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:16.3dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA 功率 - 输出:2W 电压 - 额定:40V 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）标准包装:1 PD84010-E 功能描述:FET RF 40V 870MHZ 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:16.3dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA 功率 - 输出:2W 电压 - 额定:40V 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）标准包装:50 PD84008L-E 功能描述:FET RF 25V 870MHZ 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:15.5dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA 功率 - 输出:2W 电压 - 额定:25V 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFLAT?（5x5）标准包装:1 PD84008-E 功能描述:FET RF 25V 870MHZ 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:16.2dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA 功率 - 输出:2W 电压 - 额定:25V 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）标准包装:50 PD84006L-E 功能描述:FET RF 25V 870MHZ 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:15dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA 功率 - 输出:2W 电压 - 额定:25V 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFLAT?（5x5）标准包装:1 PD85025S-E PD85025STR-E PD85025TR-E PD85035A-E PD85035C PD85035-E PD85035S-E PD85035STR1-E PD85035STR-E PD85035TR-E PD85050S PD86-3-1180-CANOPEN PD86-3-1180-TMCL PD9001GR/AC PD-9001GR/AC-US PD9010DHN PD9010DKN PD9010H