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APT6

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  • APT60DQ60BG
    APT60DQ60BG

    APT60DQ60BG

  • 深圳市芯驰科技有限公司
    深圳市芯驰科技有限公司

    联系人：丁皓鹏

    电话：1866538497818124166365

    地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331

    资质：营业执照

  • 50000

  • MICROSEMI

  • TO-247

  • 15+

  • -

  • 原装正品，

  • APT60D20B
    APT60D20B

    APT60D20B

  • 深圳市柏新电子科技有限公司
    深圳市柏新电子科技有限公司

    联系人：林小姐//方先生

    电话：0755-88377780010-58488628

    地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知

  • 300

  • APT

  • TO247

  • 2012+

  • -

  • 只做原装正品

  • APT6015LVRG
    APT6015LVRG

    APT6015LVRG

  • 科创特电子（香港）有限公司
    科创特电子（香港）有限公司

    联系人：柯

    电话：0755-83014603

    地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 25

  • MICROSEMI

  • 主营优势

  • 19+

  • -

  • 100%原装正品★终端免费供样★

  • APT60D60B
    APT60D60B

    APT60D60B

  • 北京力通科信电子有限公司
    北京力通科信电子有限公司

    联系人：韩小姐

    电话：13661385246

    地址：北京市海淀区知春路118号知春大厦B座1504室，新中发电子市场B1303-b1305柜台

  • 5

  • APT

  • TO-247

  • 9641+

  • -

  • 100%公司原装现货 只做原装 1366...

APT6 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
APT6 技术参数
  • APT5F100K 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV） 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.8 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 500μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1409pF @ 25V 功率 - 最大值:225W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 [K] 标准包装:50 APT58MJ50J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:初步 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:58A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:340nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:13500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:540W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:65 毫欧 @ 42A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 供应商器件封装:ISOTOP? 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 标准包装:1 APT58M80J 功能描述:MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:58A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:110 毫欧 @ 43A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:570nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:17550pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT58M50JU3 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:散装 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:58A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:340nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:10800pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:543W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:65 毫欧 @ 42A，10V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 供应商器件封装:SOT-227 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 标准包装:1 APT58M50JU2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:58A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:65 毫欧 @ 42A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:340nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10800pF @ 25V 功率 - 最大值:543W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT60D100LCTG APT60D100SG APT60D120BG APT60D120SG APT60D20BG APT60D20LCTG APT60D30BG APT60D30LCTG APT60D40BG APT60D40LCTG APT60D60BG APT60D60LCTG APT60DF100HJ APT60DF120HJ APT60DF20HJ APT60DF60HJ APT60DQ100BG APT60DQ100LCTG
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