TLE2062IPCDR

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TLE2062IPCDR 技术参数

TLE2062IP 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual Low Power RoHS:否制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel TLE2062IDRG4 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual JFET-Input Hi-Out-Drive uPower RoHS:否制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel TLE2062IDR 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual JFET-Input Hi-Out-Drive uPower RoHS:否制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel TLE2062IDG4 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual JFET-Input Hi-Out-Drive uPower RoHS:否制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel TLE2062ID 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual Low Power RoHS:否制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel TLE2064ACNE4 TLE2064ACNG4 TLE2064AID TLE2064AIDG4 TLE2064AIDR TLE2064AIDRG4 TLE2064AMD TLE2064AMDG4 TLE2064AMDR TLE2064AMDRG4 TLE2064CD TLE2064CDG4 TLE2064CDR TLE2064CDRG4 TLE2064CN TLE2064CNE4 TLE2064CNG4 TLE2064ID