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TH60P03SW

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TH60P03SW IC
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生
电话：18823887255
地址：赛格科技园4栋西10楼C座
资质：营业执照
8650
ST/意法
TO-247
25+
-
全新原装正品现货，价格优势，假一罚十

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TH60P03SW 技术参数

TH5E106K021A1000 功能描述:10μF Molded Tantalum Capacitors 21V 2917 (7343 Metric) 1 Ohm 0.287" L x 0.170" W (7.29mm x 4.32mm) 制造商:vishay sprague 系列:TANTAMOUNT? TH5 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电容:10μF 容差:±10% 电压 - 额定:21V ESR（等效串联电阻）:1 欧姆类型:模制工作温度:-55°C ~ 200°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:2917（7343 公制）大小/尺寸:0.287" 长 x 0.170" 宽（7.29mm x 4.32mm）高度 - 安装（最大值）:0.169"（4.30mm）引线间距:- 制造商尺寸代码:E 特性:高可靠性不同温度时的使用寿命:- 标准包装:1 TH58NVG5S0FTA20 功能描述:IC FLASH 32GBIT 25NS 48TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:96 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:FLASH 存储容量:1M (64K x 16) 速度:150ns 接口:并联电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 TH58NVG4S0FTA20 功能描述:IC FLASH 16GBIT 25NS 48TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:96 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:FLASH 存储容量:1M (64K x 16) 速度:150ns 接口:并联电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 TH58BYG2S3HBAI6 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:4GB SLC BENAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V (EEPROM) 2K PAGE - Trays TH4C476K010C0500 功能描述:47μF Molded Tantalum Capacitors 10V 2413 (6032 Metric) 500 mOhm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) 制造商:vishay sprague 系列:TANTAMOUNT? TH4 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电容:47μF 容差:±10% 电压 - 额定:10V ESR（等效串联电阻）:500 毫欧类型:模制工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:2413（6032 公制）大小/尺寸:0.236" 长 x 0.126" 宽（6.00mm x 3.20mm）高度 - 安装（最大值）:0.110"（2.80mm）引线间距:- 制造商尺寸代码:C 特性:通用不同温度时的使用寿命:- 标准包装:1 TH71102ENE-BAA-000-RE TH71111ENE-BAA-000-RE TH71111ENE-BAA-000-TR TH71112ENE-BAA-000-RE TH71112ENE-BAA-000-TR TH71221ELQ-BAA-000-RE TH71221ELQ-BAA-000-SP TH71221ELQ-BAA-000-TU TH7122ENE-BAA-000-RE TH7122ENE-BAA-000-SP TH7122ENE-BAA-000-TR TH72001KDC-BAA-000-RE TH72001KDC-BAA-000-SP TH72001KDC-BAA-000-TU TH72002KDC-BAA-000-RE TH72002KDC-BAA-000-SP TH72002KDC-BAA-000-TU TH72005KLD-BAA-000-RE