STZ23C5V6

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STZ23C5V6 R1 00001
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生卢先生
电话：18823887255
地址：赛格科技园4栋西10楼C座
资质：营业执照
30690
PANJIT
SOT-23
2021+
-
深圳原装现货，假一罚十，随时可发

STZ23C5V6_R1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
PANJIT
SOT-23
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

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STZ23C5V6 技术参数

STY80NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 74A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:74A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:35 毫欧 @ 37A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:360nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10100pF @ 50V 功率 - 最大值:447W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 STY60NM60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 60A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:55 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:266nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7300pF @ 25V 功率 - 最大值:560W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 STY60NM50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 60A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:266nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7500pF @ 25V 功率 - 最大值:560W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 STY60NK30Z 功能描述:MOSFET N-CH 300V 60A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 STY50N105DK5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 44A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:1050V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:175nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6600pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:625W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 22A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:通孔供应商器件封装:MAX247? 封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 SU-1/2 SU-1/4 SU-10 SU10000RT3U SU10000RT3U2TF SU10000RT3UG SU1000RTXL2U SU1000RTXL2UA SU1000RTXL2UN SU1000RTXLCD2U SU1000XLA SU1000XLCD SU10K SU10K3/1X SU10KRT3U SU10KRT3UHV SU10VD-20010 SU10VFC-R03370