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STW8C2SA-J19K24-HA

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
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  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • STW8C2SA-J19K24-HA
    STW8C2SA-J19K24-HA

    STW8C2SA-J19K24-HA

    优势
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
    深圳市兴合盛科技发展有限公司

    联系人:销售经理:马先生

    电话:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田区华强北街道华航社区中航路都会B座10012M

    资质:营业执照

  • 1000000

  • Seoul Semiconductor Inc

  • 2-SMD,无引线

  • 23+

  • -
  • ★★华南优质供应商★★

  • 1/1页 40条/页 共6条 
  • 1
STW8C2SA-J19K24-HA PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 大功率LED - 白色 Warm White 2700K 60.5-66.7
  • RoHS
  • 制造商
  • Cree, Inc.
  • 照明颜色
  • Cool White
  • 颜色温度
  • 5000 K
  • 光通量
  • 280 lm
  • 显示角
  • 125 deg
  • 正向电流
  • 700 mA
  • 正向电压
  • 2.9 V
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 系列
  • XMLBWW
  • 封装
  • Reel
STW8C2SA-J19K24-HA 技术参数
  • STW8C2SA-J19K24-GA 功能描述:LED Lighting Acrich White, Warm 2900K (2600K ~ 3200K) 6.3V 100mA 120° 2-SMD, No Lead 制造商:seoul semiconductor inc. 系列:Acrich 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 颜色:暖白色 CCT(K):2900K(2600K ~ 3200K) 85°C 时通量,电流 - 测试:- 25°C 时通量,电流 - 测试:73 lm(61 lm ~ 85 lm) 电流 - 测试:100mA 电压 - 正向(Vf)(典型值):6.3V 不同测试电流时的流明/瓦:116 lm/W CRI(高显色指数):80 电流 - 最大值:200mA 视角:120° 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,无引线 封装热阻:10°C/W 标准包装:1 STW8C2SA-J19K24-EA 功能描述:LED Lighting Acrich White, Cool 5100K (3200K ~ 7000K) 6.3V 100mA 120° 2-SMD, No Lead 制造商:seoul semiconductor inc. 系列:Acrich 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 颜色:冷白色 CCT(K):5100K(3200K ~ 7000K) 85°C 时通量,电流 - 测试:- 25°C 时通量,电流 - 测试:73 lm(61 lm ~ 85 lm) 电流 - 测试:100mA 电压 - 正向(Vf)(典型值):6.3V 不同测试电流时的流明/瓦:116 lm/W CRI(高显色指数):80 电流 - 最大值:200mA 视角:120° 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,无引线 封装热阻:10°C/W 标准包装:1 STW8B12C-AABL 功能描述:LED Lighting Acrich White, Cool 6500K (6000K ~ 7000K) 3.15V 100mA 120° 2-SMD, Flat Lead 制造商:seoul semiconductor inc. 系列:Acrich 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 颜色:冷白色 CCT(K):6500K(6000K ~ 7000K) 85°C 时通量,电流 - 测试:- 25°C 时通量,电流 - 测试:37 lm(标准) 电流 - 测试:100mA 电压 - 正向(Vf)(典型值):3.15V 不同测试电流时的流明/瓦:117 lm/W CRI(高显色指数):80 电流 - 最大值:120mA 视角:120° 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,扁平引线 封装热阻:25°C/W 标准包装:1 STW88N65M5-4 功能描述:MOSFET N-CH 650V 84A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M5 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):84A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):29 毫欧 @ 42A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):204nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8825pF @ 100V 功率 - 最大值:450W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-4 供应商器件封装:TO-247-4L 标准包装:30 STW88N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 84A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):84A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):29 毫欧 @ 42A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):204nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8825pF @ 100V 功率 - 最大值:450W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW8Q14BE-T0U0-HB STW8Q14BE-T0U7-FB STW8Q14BE-T0U7-FT STW8Q14BE-T0V5-GA STW8Q14BE-T5-CT STW8Q14BE-T5-DB STW8Q14BE-T5-DT STW8Q14BE-T5-EB STW8Q14BE-T5U0-FA STW8Q14BE-T5U0-GA STW8Q14BE-T5V5-CB STW8Q14BE-U0D0A1 STW8Q14BE-U0D0Z3 STW8Q14BE-U0D1Z2 STW8Q14BE-U0D1Z3 STW8Q14BE-U0D2A1 STW8Q14BE-U0D2Z2 STW8Q14BE-U0D2Z3
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