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STL106A

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  • 深圳市特瑞斯科技有限公司
    深圳市特瑞斯科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8277481983249326

    地址:销售一部:华强北上步工业区501栋401室 销售二部:深圳市福田区红荔路上航大厦411室

    资质:营业执照

  • 1831

  • INTEL

  • 原厂原装

  • 20+

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  • 公司常备大量原装正品现货!

  • STL106A/STL106B
    STL106A/STL106B

    STL106A/STL106B

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • INTEL

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  • STL106A
    STL106A

    STL106A

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E

    资质:营业执照

  • 5000

  • ITT

  • DIP16

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

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STL106A 技术参数
  • STL105NS3LLH7 功能描述:MOSFET N-CH 30V 27A PWRFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):105A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.9 毫欧 @ 13.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 1mA(最小) 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2110pF @ 25V 功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL100NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A PWRFLAT6X5 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 毫欧 @ 12.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):40nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4450pF @ 25V 功率 - 最大值:4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(6x5) 标准包装:3,000 STL100N8F7 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.1 欧姆 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):46.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3435pF @ 40V 功率 - 最大值:120W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL100N6LF6 功能描述:MOSFET N CH 60V 100A PWRFLAT 5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 11A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):130nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8900pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL100N1VH5 功能描述:MOSFET N-CH 12V 100A POWERFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):12V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3 毫欧 @ 12.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):500mV @ 250μA(最小) 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):26.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2085pF @ 10V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL11N3LLH6 STL11N4LLF5 STL11N60M2-EP STL11N65M2 STL11N65M5 STL11N6F7 STL120N2VH5 STL120N4F6AG STL120N4LF6AG STL120N8F7 STL-1-250-3-01 STL-1-250-8-01 STL128D STL128DFP STL128DNFP STL12HN65M2 STL12N3LLH5 STL12N60M2
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