您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > S字母型号搜索 > S字母第6073页 >

STH80N10F7-2

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • STH80N10F7-2
    STH80N10F7-2

    STH80N10F7-2

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889150

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • D2PAK/TO-263

  • 25+

  • -
  • 国产品牌,替代进口

  • STH80N10F7-2
    STH80N10F7-2

    STH80N10F7-2

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    联系人:李林

    电话:0755-8251939113714584659李先生(可开13%增票,3

    地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

    资质:营业执照

  • 13740

  • ST

  • TO-263

  • 23+

  • -
  • 全新原装正品现货特价

  • STH80N10F7-2
    STH80N10F7-2

    STH80N10F7-2

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • ST/意法

  • TO-220

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • STH80N10F7-2
    STH80N10F7-2

    STH80N10F7-2

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 5000

  • STMICROEL

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • STH80N10F7-2
    STH80N10F7-2

    STH80N10F7-2

  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
    深圳市海天鸿电子科技有限公司

    联系人:彭小姐、刘先生、李小姐

    电话:0755-82552857-80913528851884(周日专线)

    地址:深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号

    资质:营业执照

  • 7500

  • STM

  • 原厂原装

  • 1701+

  • -
  • 只做原装 一手货源,代理商分销库存

  • STH80N10F7-2
    STH80N10F7-2

    STH80N10F7-2

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 6004

  • ST/意法半导体

  • H2PAK-2

  • 22+

  • -
  • 原装正品现货 可开增值税发票

  • STH80N10F7-2
    STH80N10F7-2

    STH80N10F7-2

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 8650000

  • ST

  • H2PAK-2

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • STH80N10F7-2
    STH80N10F7-2

    STH80N10F7-2

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28

    资质:营业执照

  • 6000

  • S

  • TO-263

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • 1/1页 40条/页 共26条 
  • 1
STH80N10F7-2 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • DeepGATE?,STripFET? VII
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 100V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 80A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 9.5 毫欧 @ 40A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 45nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 3100pF @ 50V
  • 功率 - 最大值
  • 110W
  • 工作温度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 凸片)变型
  • 供应商器件封装
  • H2PAK
  • 标准包装
  • 1
STH80N10F7-2 技术参数
  • STH6N95K5-2 功能描述:MOSFET N-CH 950V 6A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):950V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.25 欧姆 @ 3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):450pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 凸片)变型 供应商器件封装:H2Pak-2 标准包装:1 STH410N4F7-6AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级,AEC-Q101,STripFET? F7 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.1 毫欧 @ 90A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):141nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):11500pF @ 25V 功率 - 最大值:365W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片) 供应商器件封装:H2PAK-6 标准包装:1 STH410N4F7-2AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级,AEC-Q101,STripFET? F7 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.1 毫欧 @ 90A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):141nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):11500pF @ 25V 功率 - 最大值:365W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:H2Pak-2 标准包装:1 STH400N4F6-6 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):180A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.15 毫欧 @ 60A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):404nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):20500pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片) 供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STH400N4F6-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):180A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.15 毫欧 @ 60A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):404nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):20500pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 凸片)变型 供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STHS4257A1M6F STHV STHV748QTR STHV800L STHVDAC-253MF3 STHVDAC-253MTGF3 STHVDAC-256MTGF3 STHVDAC-303F6 STHW-690-N STI STI10N62K3 STI10NM60N STI11NM60ND STI11NM80 STI1200B STI1215A STI1215B STI1220A
配单专家

在采购STH80N10F7-2进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买STH80N10F7-2产品风险,建议您在购买STH80N10F7-2相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的STH80N10F7-2信息由会员自行提供,STH80N10F7-2内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号