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STH300NH02L-6

配单专家企业名单
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  • STH300NH02L-6
    STH300NH02L-6

    STH300NH02L-6

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人：刘小姐

    电话：15961889150

    地址：江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质：营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • D2PAK/TO-263-7L

  • 25+

  • -

  • 国产品牌，替代进口

  • STH300NH02L-6
    STH300NH02L-6

    STH300NH02L-6

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人：张小姐

    电话：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质：营业执照

  • 569888

  • ST意法

  • N/A

  • 22+

  • -

  • 原装正品现货，支持BOM配单！

  • STH300NH02L-6
    STH300NH02L-6

    STH300NH02L-6

  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人：朱小姐

    电话：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室

  • 10000

  • ST

  • DIP/SOP

  • 19+

  • -

  • 公司全新原装正品,QQ153058080...

  • STH300NH02L-6
    STH300NH02L-6

    STH300NH02L-6

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 3100

  • STMICROEL

  • 剪切带（CT

  • 1521+

  • -

  • 全新原装现货

  • STH300NH02L-6
    STH300NH02L-6

    STH300NH02L-6

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：何芝

    电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 3526

  • ST

  • H2PAK

  • 14+

  • -

  • 原装正品，现货库存，400-800-03...

  • 1/1页 40条/页 共21条 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch 24V 0.95mOhm 180A STripFET Mosfet
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
STH300NH02L-6 技术参数
  • STH290N4F6-6AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.7 欧姆 @ 45A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:115nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7380pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片） 供应商器件封装:H2PAK-6 标准包装:1 STH290N4F6-2AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.7 欧姆 @ 45A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:115nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7380pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:H2Pak-2 标准包装:1 STH275N8F7-6AG 功能描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101，STripFET? F7 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.1 毫欧 @ 90A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:193nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13600pF @ 50V 功率 - 最大值:315W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片） 供应商器件封装:H2PAK-6 标准包装:1 STH275N8F7-2AG 功能描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101，STripFET? F7 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.1 毫欧 @ 90A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:193nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13600pF @ 50V 功率 - 最大值:315W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 凸片）变型 供应商器件封装:H2Pak-2 标准包装:1 STH270N8F7-6 功能描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.1 毫欧 @ 90A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:193nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13600pF @ 50V 功率 - 最大值:315W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片） 供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STH400N4F6-6 STH410N4F7-2AG STH410N4F7-6AG STH52N10LF3-2AG STH61B STH61G STH61W STH62B STH62G STH62W STH6N95K5-2 STH71B STH71G STH71W STH72B STH72G STH72W STH80N10F7-2
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