STC62WV51216ECP70

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STC62WV51216ECP70 技术参数

STC5NF30V 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-TSSOP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:31 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:600mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:460pF @ 15V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 STC5NF20V 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:40 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:600mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:460pF @ 15V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 STC5DNF30V 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8TSSOP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:35 毫欧 @ 2.3A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:600mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:460pF @ 25V 功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 STC4054GR 功能描述:电池管理 800mA Linear Li Ion batery chargr RoHS:否制造商:Texas Instruments 电池类型:Li-Ion 输出电压:5 V 输出电流:4.5 A 工作电源电压:3.9 V to 17 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:VQFN-24 封装:Reel STC3117IJT 功能描述:Battery Battery Monitor IC 9-CSP 制造商:stmicroelectronics 系列:OptimGauge? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效功能:电池监控器电池化学:- 电池数:- 故障保护:- 接口:I2C 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:9-WFBGA，CSPBGA 供应商器件封装:9-CSP 图号:* 标准包装:1 STCC2540IQTR STCC5021IQTR STCCP27ATBR STCD1020RDG6F STCD1040RDM6F STCD2400F35F STC-F STCF01PMR STCF02PNR STCF03ITBR STCF03PNR STCF03TBR STCF04TBR STCF05TBR STCF06TBR STCF07PNR STCH02 STCH02TR