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STB10N60M2

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
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  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • STB10N60M2
    STB10N60M2

    STB10N60M2

  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
    深圳市海天鸿电子科技有限公司

    联系人:彭小姐、刘先生、李小姐

    电话:0755-82552857-80913528851884(周日专线)

    地址:深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号

    资质:营业执照

  • 7500

  • STM

  • 原厂原装

  • 1708+

  • -
  • 只做原装 一手货源,代理商分销库存

  • STB10N60M2
    STB10N60M2

    STB10N60M2

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 6005

  • ST/意法半导体

  • TO-263-3

  • 22+

  • -
  • 原装正品现货 可开增值税发票

  • STB10N60M2
    STB10N60M2

    STB10N60M2

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • ST/意法

  • TO263

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • STB10N60M2
    STB10N60M2

    STB10N60M2

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:刘小姐

    电话:15961889150

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • D2PAK/TO-263

  • 25+

  • -
  • 国产品牌,替代进口

  • STB10N60M2
    STB10N60M2

    STB10N60M2

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-263

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • STB10N60M2
    STB10N60M2

    STB10N60M2

  • 深圳市芯驰科技有限公司
    深圳市芯驰科技有限公司

    联系人:丁皓鹏

    电话:1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331

    资质:营业执照

  • 100000

  • ST Microelectronics

  • N/A

  • 15+

  • -
  • 原装正品 价格优势!

  • STB10N60M2
    STB10N60M2

    STB10N60M2

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 5000

  • STMICROEL

  • REEL

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • STB10N60M2
    STB10N60M2

    STB10N60M2

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 3526

  • ST

  • D2PAK

  • 14+

  • -
  • 原装正品,现货库存,400-800-03...

  • STB10N60M2 10N60M2
    STB10N60M2 10N60M2

    STB10N60M2 10N60M2

  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:苗凤军

    电话:17623594308

    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

  • 4342

  • ST

  • TO-263

  • 2202+

  • -
  • 十年专营,供应原装正品!热卖现货!

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STB10N60M2 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh? II Plus
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 600V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 7.5A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 600 毫欧 @ 3A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 13.5nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 400pF @ 100V
  • 功率 - 最大值
  • 85W
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装
  • D2PAK
  • 标准包装
  • 1
STB10N60M2 技术参数
  • STB1060TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):60V 电流 - 平均整流(Io):- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):650mV @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:850μA @ 60V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 STB10150TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 电流 - 平均整流(Io):- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:150μA @ 150V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 STB10100TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):750mV @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:300μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:462pF @ 5V, 1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 STB10100CTR 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):750mV @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:120μA @ 100V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB100NF04T4 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.6 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5100pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB11NM60FDT4 STB11NM60N-1 STB11NM60T4 STB11NM80T4 STB120N10F4 STB120N4F6 STB120N4LF6 STB120NF10T4 STB12100TR STB12-2-2 STB12-7-7 STB12NK80ZT4 STB12NM50FDT4 STB12NM50N STB12NM50ND STB12NM50T4 STB12NM60N STB12NM60N-1
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