SIR846DP-T1-GE3

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说明
操作

SIR846DP-T1-GE3
现货
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
78920
Vishay(威世)
PowerPAK? SO-8
23+
-
原装现货库存优势价格出库

SIR846DP-T1-GE3
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
5306
VISHAY SILICONIX
--
假一赔十！
-
绝对原装现货！

SIR846DP-T1-GE3
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
4030
VISHAY
1108
-
全新原装现货

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功能描述
MOSFET 100V 60A 104W 7.8mohm @ 10V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

SIR846DP-T1-GE3 技术参数

SIR67-21C/TR8 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 65mA 0.5mW/sr @ 20mA 120° 2-SMD, J-Lead 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:红外线电流 - DC 正向（If）:65mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:0.5mW/sr @ 20mA 波长:875nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 视角:120° 朝向:通用工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，J 形引线标准包装:1 SIR-56ST3FF 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.3V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:5.6mW/sr @ 50mA 波长:950nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 视角:30° 朝向:顶视图工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:1,000 SIR-568ST3F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.6V 100mA 18mW/sr @ 50mA 26° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:18mW/sr @ 50mA 波长:850nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.6V 视角:26° 朝向:顶视图工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:1,000 SIR-563ST3FM 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.34V 100mA 9mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:9mW/sr @ 50mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.34V 视角:30° 朝向:顶视图工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:1,000 SIR-505STA47F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.38V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:5.6mW/sr @ 50mA 波长:950nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.38V 视角:30° 朝向:顶视图工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:2,000 SIR872ADP-T1-RE3 SIR872DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 SIR874DP-T1-GE3 SIR876ADP-T1-GE3 SIR876DP-T1-GE3 SIR878ADP-T1-GE3 SIR878BDP-T1-RE3 SIR878DP-T1-GE3 SIR880ADP-T1-GE3 SIR880DP-T1-GE3 SIR882ADP-T1-GE3 SIR882DP-T1-GE3 SIR888DP-T1-GE3 SIR890DP-T1-GE3 SIR892DP-T1-GE3 SIR928-6C-F SIRA00DP-T1-GE3