SIR401DP-T1-GE3

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数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

SIR401DP-T1-GE3
现货
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
78920
Vishay(威世)
PowerPAK SO-8
21+
-
原装现货库存优势价格出库

SIR401DP-T1-GE3
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
15000
VISHAY
1521+
-
全新原装现货

SIR401DP-T1-GE3
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生卢先生
电话：18823887255
地址：赛格科技园4栋西10楼C座
资质：营业执照
6500
VISHAY
PowerPAK S
25+
-
全新原装正品现货，全网好价

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功能描述
MOSFET -20V 3.2mOhm@10V 50A P-Ch G-III
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

SIR401DP-T1-GE3 技术参数

SIR383C 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 100mA 11mW/sr @ 20mA 20° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外线电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:11mW/sr @ 20mA 波长:875nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 视角:20° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:径向标准包装:500 SIR383 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 100mA 11mW/sr @ 20mA 20° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外线电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:11mW/sr @ 20mA 波长:875nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 视角:20° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:径向标准包装:500 SIR-34ST3F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.3V 100mA 3.5mW/sr @ 50mA 54° T-1 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:3.5mW/sr @ 50mA 波长:950nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 视角:54° 朝向:顶视图工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:T-1 标准包装:2,000 SIR-341ST3FF 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.3V 75mA 5.6mW/sr @ 50mA 32° T-1 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:75mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:5.6mW/sr @ 50mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 视角:32° 朝向:顶视图工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:T-1 标准包装:2,000 SIR333-A 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 100mA 7.8mW/sr @ 20mA 20° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外线电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:7.8mW/sr @ 20mA 波长:875nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 视角:20° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:径向标准包装:500 SIR418DP-T1-GE3 SIR422DP-T1-GE3 SIR424DP-T1-GE3 SIR426DP-T1-GE3 SIR432DP-T1-GE3 SIR436DP-T1-GE3 SIR438DP-T1-GE3 SIR440DP-T1-GE3 SIR460DP-T1-GE3 SIR462DP-T1-GE3 SIR464DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 SIR468DP-T1-GE3 SIR470DP-T1-GE3 SIR472ADP-T1-GE3 SIR472DP-T1-GE3 SIR474DP-T1-GE3 SIR474DP-T1-RE3