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SIDC112D170HX1SA2

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SIDC112D170HX1SA2 技术参数

SID1183K-TL 功能描述:IGBT FET GATE DVR 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 SID1183K 功能描述:DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件状态:在售标准包装:48 SID1182K-TL 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售技术:磁耦合通道数:1 电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:- 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:340ns，330ns 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:90ns，81ns 电流 - 输出高，低:3.6A，4A 电流 - 峰值输出:8A 电压 - 正向（Vf）（典型值）:- 电压 - 电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线供应商器件封装:eSOP-R16B 标准包装:1 SID1182K 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包装:管件零件状态:在售技术:磁耦合通道数:1 电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:- 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:340ns，330ns 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:90ns，81ns 电流 - 输出高，低:3.6A，4A 电流 - 峰值输出:8A 电压 - 正向（Vf）（典型值）:- 电压 - 电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线供应商器件封装:eSOP-R16B 标准包装:48 SID1152K-TL 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售技术:磁耦合通道数:1 电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:- 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:340ns，330ns 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:225ns，225ns（最大）电流 - 输出高，低:2.4A，2.6A 电流 - 峰值输出:5A 电压 - 正向（Vf）（典型值）:- 电压 - 电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线供应商器件封装:eSOP-R16B 标准包装:1 SIDC14D60E6 SIDC14D60E6X1SA1 SIDC14D60E6Y SIDC14D60E6YX1SA1 SIDC14D60F6 SIDC14D60F6X1SA2 SIDC161D170H SIDC161D170HX1SA2 SIDC16D60SIC3 SIDC19D60SIC3 SIDC20D60C6 SIDC23D120E6 SIDC23D120E6X1SA1 SIDC23D120F6 SIDC23D120F6X1SA1 SIDC23D120H6 SIDC23D120H6X1SA1 SIDC23D60E6