SI4133X1-BM

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SI4133X1-BM
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4168
SILICON
QFN
2217+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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SI4133X1-BM 技术参数

SI4133WM-EVB 功能描述:KIT EVAL FOR SI4133W-BM 制造商:silicon labs 系列:- 零件状态:过期类型:合成器频率:- 配套使用产品/相关产品:SI4133W-BM 所含物品:板标准包装:1 SI4133T-GM 功能描述:射频无线杂项 Aero RF Synthesizer RoHS:否制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel SI4133T-BM 功能描述:射频无线杂项 Aero RF Synthesizer RoHS:否制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel SI4133M-EVB 功能描述:BOARD EVALUATION FOR SI4133 制造商:silicon labs 系列:- 零件状态:有效类型:合成器频率:- 配套使用产品/相关产品:SI4133 所含物品:板标准包装:1 SI4133GX2-BM 功能描述:射频无线杂项 Dual-Band Synthesizer RoHS:否制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel SI4136-F-BT SI4136-F-GM SI4136-F-GMR SI4136-F-GT SI4136-F-GTR SI4136M-EVB SI4143DY-T1-GE3 SI-415-1 SI4154DY-T1-GE3 SI4156DY-T1-GE3 SI4158DY-T1-GE3 SI-415-C6050 SI-415-C8002 SI-415-C8012 SI4160DY-T1-GE3 SI4162DY-T1-GE3 SI4164DY-T1-GE3 SI4166DY-T1-GE3