SI1902DL-T1-E1

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SI1902DL-T1-E1
深圳市毅创辉电子科技有限公司
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联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
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SOT363
0945+
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SI1902DL-T1-E1
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
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SI1902DL-T1-E1 技术参数

SI1869DH-T1-GE3 功能描述:MOSFET LOAD SWITCH 1.8V RA W/ LEVEL SHIFT RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube SI1869DH-T1-E3 功能描述:MOSFET LOAD SWITCH 1.8V RA W/ LEVEL SHIFT RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube SI1867DL-T1-GE3 功能描述:IC LOAD SW LEVEL SHIFTER SC-70-6 RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - 电源分配开关系列:- 特色产品:XRP252 Switches 标准包装:1 系列:- 类型:高端开关输出数:2 Rds（开）:140 毫欧内部开关:是电流限制:1.15A 输入电压:1.75 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:10-WFDFN 裸露焊盘供应商设备封装:10-TDFN（3x3）包装:Digi-Reel® 其它名称:1016-1691-6 SI1867DL-T1-E3 功能描述:MOSFET 1.8-8.0V w/Lvl-Shift RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube SI1865DL-T1-GE3 功能描述:IC LOAD SW LVL SHIFT 1.2A SC70-6 RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - 电源分配开关系列:- 标准包装:80 系列:- 类型:USB 开关输出数:2 Rds（开）:135 毫欧内部开关:是电流限制:1.5A 输入电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘供应商设备封装:8-MSOP-PowerPad 包装:管件配用:TPS2066-1EVM-296-ND - TPS2066-1EVM-296 SI1917EDH-T1-E3 SI1922EDH-T1-GE3 SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-GE3 SI1958DH-T1-E3 SI1965DH-T1-E3 SI1965DH-T1-GE3 SI1967DH-T1-E3 SI1967DH-T1-GE3 SI1970DH-T1-E3 SI1970DH-T1-GE3 SI1972DH-T1-E3 SI1972DH-T1-GE3 SI1988DH-T1-E3 SI1988DH-T1-GE3 SI-20140 SI2111-A10-GM SI2111-A10-GMR