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SGR2N60UFTF

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    SGR2N60UFTF

    SGR2N60UFTF

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

  • 1523

  • FSC

  • TO252

  • 2024+

  • -
  • 绝对现货

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
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  • 功能描述
  • IGBT 晶体管
  • RoHS
  • 制造商
  • Fairchild Semiconductor
  • 配置
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • 650 V
  • 集电极—射极饱和电压
  • 2.3 V
  • 栅极/发射极最大电压
  • 20 V
  • 在25 C的连续集电极电流
  • 150 A
  • 栅极—射极漏泄电流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 187 W
  • 最大工作温度
  • 封装 / 箱体
  • TO-247
  • 封装
  • Tube
SGR2N60UFTF 技术参数
配单专家

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