S34MLO1G200TFI00

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S34MLO1G200TFI00 技术参数

S34ML16G202TFI200 功能描述:IC FLASH 16GBIT 25NS 48TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:ML-2 包装:托盘零件状态:在售存储器类型:非易失存储器格式:闪存技术:FLASH - NAND 存储容量:16Gb （2G x 8）写周期时间 - 字，页:25ns 存储器接口:并联电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商器件封装:48-TSOP I 标准包装:96 S34ML08G201TFI003 制造商:Spansion 功能描述:Flash 8G, 3V, 25ns NAND Flash 制造商:Spansion 功能描述:8 GB, 4-BIT ECC, X8 I/O AND 3V VCCN, NAND FLASH S34ML08G201TFI000 制造商:Spansion 功能描述:IC MEMORY FLASH 8GBIT NAND S34ML08G201BHV000 功能描述:IC FLASH 制造商:cypress semiconductor corp 系列:ML-2 包装:托盘零件状态:在售存储器类型:非易失存储器格式:闪存技术:FLASH - NAND 存储容量:8Gb （1G x 8）写周期时间 - 字，页:25ns 存储器接口:并联电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:63-VFBGA 供应商器件封装:63-BGA（11x9）标准包装:210 S34ML08G201BHI000 功能描述:IC FLASH 8GBIT 25NS 63BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:ML-2 包装:托盘零件状态:在售存储器类型:非易失存储器格式:闪存技术:FLASH - NAND 存储容量:8Gb （1G x 8）写周期时间 - 字，页:25ns 存储器接口:并联电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:63-VFBGA 供应商器件封装:63-BGA（11x9）标准包装:210 S34MS01G104BHI910 S34MS01G104BHV010 S34MS01G104BHV013 S34MS01G200BHA000 S34MS01G200BHA003 S34MS01G200BHB000 S34MS01G200BHB003 S34MS01G200BHI000 S34MS01G200BHI003 S34MS01G200BHI900 S34MS01G200BHI903 S34MS01G200BHV000 S34MS01G200BHV003 S34MS01G200GHI000 S34MS01G200GHI003 S34MS01G200TFA000 S34MS01G200TFA003 S34MS01G200TFB000