RN80532KC080512

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RN80532KC080512 SL6WB
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生
电话：18823887255
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3003号上步工业区201栋588
资质：营业执照
12500
INTEL/英特尔
原厂封装
2026+
-
全新原装现货，价格优势，假一罚十

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RN80532KC080512 技术参数

RN80532KC041512SL6EM 功能描述:IC MPU XEON 1.5V 2.0GHZ 603-INT3 RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微处理器系列:- 标准包装:2 系列:MPC8xx 处理器类型:32-位 MPC8xx PowerQUICC 特点:- 速度:133MHz 电压:3.3V 安装类型:表面贴装封装/外壳:357-BBGA 供应商设备封装:357-PBGA（25x25）包装:托盘 RN73C2A9K76BTDF 功能描述:RES SMD 9.76KOHM 0.1% 1/10W 0805 制造商:te connectivity amp connectors 系列:RN73，Holsworthy 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电阻（欧姆）:9.76k 容差:±0.1% 功率（W）:0.1W，1/10W 成分:薄膜特性:- 温度系数:±10ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C 封装/外壳:0805（2012 公制）供应商器件封装:805 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm）高度:0.026"（0.65mm）端子数:2 标准包装:1 RN73C2A9K53BTDF 功能描述:RES SMD 9.53KOHM 0.1% 1/10W 0805 制造商:te connectivity amp connectors 系列:RN73，Holsworthy 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电阻（欧姆）:9.53k 容差:±0.1% 功率（W）:0.1W，1/10W 成分:薄膜特性:- 温度系数:±10ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C 封装/外壳:0805（2012 公制）供应商器件封装:805 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm）高度:0.026"（0.65mm）端子数:2 标准包装:1 RN73C2A9K31BTDF 功能描述:RES SMD 9.31KOHM 0.1% 1/10W 0805 制造商:te connectivity amp connectors 系列:RN73，Holsworthy 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电阻（欧姆）:9.31k 容差:±0.1% 功率（W）:0.1W，1/10W 成分:薄膜特性:- 温度系数:±10ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C 封装/外壳:0805（2012 公制）供应商器件封装:805 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm）高度:0.026"（0.65mm）端子数:2 标准包装:1 RN73C2A9K09BTDF 功能描述:RES SMD 9.09KOHM 0.1% 1/10W 0805 制造商:te connectivity amp connectors 系列:RN73，Holsworthy 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电阻（欧姆）:9.09k 容差:±0.1% 功率（W）:0.1W，1/10W 成分:薄膜特性:- 温度系数:±10ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C 封装/外壳:0805（2012 公制）供应商器件封装:805 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm）高度:0.026"（0.65mm）端子数:2 标准包装:1 RNA4A8E122JT RNA4A8E130JT RNA4A8E151JT RNA4A8E153JT RNA4A8E154JT RNA4A8E163JT RNA4A8E181JT RNA4A8E183JT RNA4A8E202JT RNA4A8E203JT RNA4A8E220JT RNA4A8E221JT RNA4A8E222JT RNA4A8E223JT RNA4A8E224JT RNA4A8E242JT RNA4A8E270JT RNA4A8E271JT