PSMN7R8-120_代理商_批发/采购【买卖IC网】PSMN7R8-120

配单专家企业名单

型号
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厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PSMN7R8-120ESQ
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
NEXPERIA/安世
SOT226
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

PSMN7R8-120ES
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
13620
NXP
TO-262
23+
-
只做全新原装正品现货

PSMN7R8-120PS127
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖先生
电话：13612973190
地址：广东省深圳市华强北上航大厦西座410室
9000
NXP
-
22+
-
原厂渠道，现货配单

PSMN7R8-120ES
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
NXP
I2PAK
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

PSMN7R8-120ES
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
I2PAK/TO-262
25+
-
国产品牌，替代进口

PSMN7R8-120XS
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
638850
NXP
TO-220F
最新批次
-
OEM渠道，价格超越代理！

PSMN7R8-120ES
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
NXP/恩智浦
TO-262
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

PSMN7R8-120ESQ
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
TO-262-3
18+
-
MOSFET N-CH 120V 70A...

PSMN7R8-120ESQ
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
2470
NXP SEMIC
1521+
-
全新原装现货

PSMN7R8-120ES
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
885000
YXYBDT台湾
I2PAKTO-2
2024+
-
代理台湾YXYBDT.现货

PSMN7R8-120PSQ
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
7500
NXP
原厂原装
1708+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

PSMN7R8-120ESQ
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
24558
NXP/恩智浦
I2PAK
22+
-

PSMN7R8-120XS
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
100
NXP
TO-220F
1227+PB
-
原装现货/特价

PSMN7R8-120ESQ
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9894
NXP
TO-262
14+
-
绝对公司原装现货

PSMN7R8-120PSQ
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
375
NEX
ORIGONAL
16+
-
1.10802 USD,szpoweri...

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PSMN7R8-120 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

PSMN7R8-120 技术参数

PSMN7R8-100PSEQ 功能描述:MOSFET N-CH 100V SIL3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:128nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7110pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:294W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.8 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN7R6-60XSQ 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:51.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.8 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:38.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2651pF @ 30V 功率 - 最大值:46W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片供应商器件封装:TO-220F-3 标准包装:50 PSMN7R6-60PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 60V 92A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:92A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:38.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2651pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:149W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.8 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN7R6-60BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:92A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:38.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2651pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:149W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.8 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 PSMN7R6-100BSEJ 功能描述:MOSFET N-CH 100V D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:128nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7110pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:296W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.6 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 PSMN8R5-100ESFQ PSMN8R5-100ESQ PSMN8R5-100PSFQ PSMN8R5-100PSQ PSMN8R5-100XSQ PSMN8R5-108ESQ PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R7-100YSFQ PSMN8R7-100YSFX PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80PS,127 PSMN9R0-25MLC,115 PSMN9R0-25YLC,115 PSMN9R0-30LL,115 PSMN9R0-30YL,115 PSMN9R1-30YL,115 PSMN9R5-100BS,118 PSMN9R5-100PS,127

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