PSMN013-30MLC,115_代理商_批发/采购【买卖IC网】PSMN013-30MLC,115

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说明
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PSMN013-30MLC,115
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

PSMN013-30MLC,115
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
1200
NEXPERIA
con
24+
-
场效应管

PSMN013-30MLC,115
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
367116
NEXPERIA
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

PSMN013-30MLC,115
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
12000
NEXPERIA/安世
LFPAK33-8
23+22+
-
授权代理/原厂FAE技术支持

PSMN013-30MLC,115
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：张经理
电话：18653422656
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
367116
NEXPERIA
con
24+
-

PSMN013-30MLC,115
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张经理
电话：18653422656
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
367116
NEXPERIA
con
24+
-

PSMN013-30MLC,115
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：张经理
电话：18653422656
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
1200
NEXPERIA
con
24+
-
场效应管

PSMN013-30MLC,115
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
1500
NEXPERIA
价格优势
2445
-
全新原装渠道现货

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功能描述
MOSFET N-channel MOSFET logic level LFPAK33
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

PSMN013-30MLC,115 技术参数

PSMN013-30LL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V QFN3333 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:768pF @ 15V 功率 - 最大值:41W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装:8-DFN3333（3.3x3.3）标准包装:1 PSMN013-100YSEX 功能描述:MOSFET N-CH 100V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:82A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:16nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3775pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:238W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN013-100XS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 35.2A TO220F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35.2A （Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:57.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3195pF @ 50V 功率 - 最大值:48.4W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片供应商器件封装:TO-220F 标准包装:50 PSMN013-100PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 68A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:68A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:59nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3195pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:170W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13.9 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN013-100ES,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:68A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:59nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3195pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:170W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13.9 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:I2PAK 封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 标准包装:50 PSMN015-110P,127 PSMN015-60BS,118 PSMN015-60PS,127 PSMN016-100BS,118 PSMN016-100PS,127 PSMN016-100XS,127 PSMN016-100YS,115 PSMN017-30BL,118 PSMN017-30EL,127 PSMN017-30LL,115 PSMN017-30PL,127 PSMN017-60YS,115 PSMN017-80BS,118 PSMN017-80PS,127 PSMN018-100ESFQ PSMN018-100PSFQ PSMN018-80YS,115 PSMN019-100YLX

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