PMXB43UNEZ_代理商_批发/采购【买卖IC网】PMXB43UNEZ

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PMXB43UNEZ
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
18210
NXP/恩智浦
SOD68
24+
-
全新原装正品现货热卖

PMXB43UNEZ
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
NEXPERIA/安世
SOT1215
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

PMXB43UNEZ
深圳市钧凌科技有限公司
深圳市钧凌科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：18129868172
地址：华强北街道上步工业区304栋西座509
12000
NXP/恩智浦
SMD
25+
-
原装现货

PMXB43UNEZ
广东济德精密电子有限公司
广东济德精密电子有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：东莞市大朗镇松木山村德利路1号2栋2楼
100
NEXPERIA
NA
23+
-
现货！就到京北通宇商城

PMXB43UNEZ
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
23700
NXP SEMIC
1521+
-
全新原装现货

PMXB43UNEZ
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
367596
NEXPERIA
con
24+
-

PMXB43UNEZ
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
NEXPERIA
con
24+
-
场效应管

PMXB43UNEZ
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
367596
NEXPERIA
con
24+
-

PMXB43UNEZ
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
NEXPERIA
con
24+
-
场效应管

PMXB43UNEZ
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
100000
NEXPERIA/安世
SOT1215
-
授权代理/原厂FAE技术支持

PMXB43UNEZ
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
367596
NEXPERIA
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

PMXB43UNEZ
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
10000
PHA
SOT1215
15+
-
原装正品，价格优势！

PMXB43UNEZ
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
5000
NEXPERIA
价格优势
2450
-
全新原装渠道现货

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： PMXB56EN PMXB56ENZ PMXB65ENE PMXB65ENEZ PMXB65UPEZ PMXB75UPEZ PM-Y44 PM-Y44-C3 PM-Y44P

PMXB43UNEZ PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

PMXB43UNEZ 技术参数

PMXB43UNE 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.2A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:551pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta），8.33W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:54 毫欧 @ 3.2A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN1010D-3 封装/外壳:3-XDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMXB40UNE 功能描述:MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:11.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:556pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta），8.33W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 3.2A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN1010D-3 封装/外壳:3-XDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMXB360ENEA 功能描述:MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:4.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:130pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta），6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:450 毫欧 @ 1.1A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN1010D-3 封装/外壳:3-XDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMXB350UPE 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:116pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），5.68W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:447 毫欧 @ 1.2A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN1010D-3 封装/外壳:3-XDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMXB120EPE 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:11nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:309pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta），8.3W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 2.4A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN1010D-3 封装/外壳:3-XDFN 裸露焊盘标准包装:1 PM-Y44P-C3 PM-Y45 PM-Y45-C3 PM-Y45-P PM-Y45-P-C3 PM-Y54 PM-Y54P PM-Y64 PM-Y64P PM-Y65 PM-Y65-P PMZ1000UN,315 PMZ1200UPEYL PMZ130UNEYL PMZ200UNEYL PMZ250UN,315 PMZ270XN,315 PMZ290UNE2YL

发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

*型号	*数量	厂商	批号	封装

添加更多采购

我的联系方式

在采购PMXB43UNEZ进货过程中，您使用搜索有什么问题和建议？点此反馈

友情提醒：为规避购买PMXB43UNEZ产品风险，建议您在购买PMXB43UNEZ相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明：以上所展示的PMXB43UNEZ信息由会员自行提供，PMXB43UNEZ内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

PMXB43UNEZ

采购需求

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

我的联系方式