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说明
操作

PMR18EZPFU10L0
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Rohm Semiconductor
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百原装正品

PMR18EZPFU10L0
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生/高先生/周小姐
电话：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
528425
Rohm Semiconductor
最新批次
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

PMR18EZPFU10L0
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
5000
ROHM
13+
-
公司现货!只做原装!

PMR18EZPFU10L0
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑女士
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010
资质：营业执照
1200
N/A
SMD
-
1200

PMR18EZPFU10L0
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：汪小姐
电话：19240207240
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
5000
ROHM/罗姆
12063216
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

PMR18EZPFU10L0
广东济德精密电子有限公司
广东济德精密电子有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：东莞市大朗镇松木山村德利路1号2栋2楼
100
ROHM
NA
23+
-
现货！就到京北通宇商城

PMR18EZPFU10L0
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
10000
ROHM
1206 [3216 (mm)], 1%
21+
-
原装现货，假一赔百,支持实单

PMR18EZPFU10L0
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
10000
ROHM SEMICONDUCTOR
价格优势
2336
-
全新原装渠道现货

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1

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功能描述
RES .010 OHM 3/4W 1% 1206 SMD
RoHS
是
类别
电阻器 >> 芯片电阻 - 表面安装
系列
PMR18
产品目录绘图
ERA-(2,6)A Series
标准包装
1
系列
ERA-6A
电阻（欧姆）
1M
功率（瓦特）
0.125W，1/8W
复合体
薄膜
特点
-
温度系数
±25ppm/°C
容差
±0.1%
封装/外壳
0805（2012 公制）
尺寸/尺寸
0.079" L x 0.049" W（2.00mm x 1.25mm）
高度
0.024"（0.60mm）
端子数
2
包装
Digi-Reel®
产品目录页面
2242 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
P1MDADKR

PMR18EZPFU10L0 技术参数

PMR10RI 功能描述:SENS PHOTO 10M SPDT 制造商:carlo gavazzi inc. 系列:- 包装:散装零件状态:在售感应距离:393.701"（10m）感应方法:反射输出类型:- 响应时间:20ms，30ms 安装类型:底座安装封装/外壳:模块，导线引线工作温度:-25°C ~ 55°C 标准包装:1 PMPB95ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 2.8A SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:14.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:504pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta），15.6W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:105 毫欧 @ 2.8A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2）封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMPB55ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:435pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.65W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:56 毫欧 @ 10A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2）封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMPB48EP,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4.7A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:26nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:860pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 4.7A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2）封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMPB47XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:21nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1365pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:58 毫欧 @ 4A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2）封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMR18EZPJU5L0 PMR18EZPJU6L0 PMR18EZPJU7L0 PMR18EZPJU8L0 PMR18EZPJU9L0 PMR18EZPJV2L0 PMR18EZPJV3L0 PMR18EZPJV4L0 PMR205AC6470M047R30 PMR205AC6470M220R30 PMR209MB5470M047R30 PMR209MB5470M100R30 PMR209MC6100M022R30 PMR209MC6100M047R30 PMR209MC6100M100R30 PMR209MC6100M220R30 PMR209MC6100M470R30 PMR209MC6220M022R30

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