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PMPB23XNE

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  • PMPB23XNEZ
    PMPB23XNEZ

    PMPB23XNEZ

    现货
  • 集好芯城
    集好芯城

    联系人：连小姐 18126238167

    电话：0755-82795565

    地址：深圳市福田区深南中路汉国城市商业中心55层 香港新界葵兴葵康大厦6楼

    资质：营业执照

  • 50000

  • NXP

  • SOT1220

  • 26+

  • -

  • 原装原厂正品现货

  • PMPB23XNEZ
    PMPB23XNEZ

    PMPB23XNEZ

    优势
  • 深圳市芯脉实业有限公司
    深圳市芯脉实业有限公司

    联系人：曹先生/周小姐/高先生

    电话：134878658521376027201718520805148

    地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室

  • 4149

  • NXP

  • SOT1220

  • 22+

  • -

  • 授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特...

  • PMPB23XNE MOS(场效应管)
    PMPB23XNE MOS(场效应管)

    PMPB23XNE MOS(场效应管)

  • 深圳市三砖科技有限公司
    深圳市三砖科技有限公司

    联系人：梁先生

    电话：18823887255(微信同号）

    地址：深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3003号上步工业区201栋588

    资质：营业执照

  • 0

  • 2025+

  • DFN2020MD6

  • 13500

  • -

  • 全新原装现货，价格优势，假一罚十

  • PMPB23XNE
    PMPB23XNE

    PMPB23XNE

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人：吴经理

    电话：18138401919

    地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中7楼7B40

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT1220

  • 26+

  • -

  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • PMPB23XNE
    PMPB23XNE

    PMPB23XNE

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 115

  • 2500

  • 1521+

  • NXP SEMIC

  • -

  • PMPB23XNE,115
    PMPB23XNE,115

    PMPB23XNE,115

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • Nexperia

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

  • PMPB23XNE,115
    PMPB23XNE,115

    PMPB23XNE,115

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人：张经理

    电话：18653422656

    地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）

    资质：营业执照

  • 367527

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -

  • PMPB23XNE,115
    PMPB23XNE,115

    PMPB23XNE,115

  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人：张经理

    电话：18653422656

    地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质：营业执照

  • 367527

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -

  • PMPB23XNE,115
    PMPB23XNE,115

    PMPB23XNE,115

  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人：王小姐

    电话：13969210552

    地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

  • 367527

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -

  • 现货常备京北通宇商城可查价格

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PMPB23XNE 技术参数
  • PMPB20XPE,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7.2A SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.2A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:45nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:294pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23.5 毫欧 @ 7.2A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2） 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 标准包装:1 PMPB20XNEAX 功能描述:MOSFET N-CH 20V SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.5A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:15nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:930pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:460mW（Ta）, 12.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 7.5A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2） 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 标准包装:1 PMPB20UN,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.6A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 6.6A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:460pF @ 10V 功率 - 最大值:1.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2） 标准包装:1 PMPB20SNAX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:13nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:460pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:15W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 8A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2） 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 标准包装:1 PMPB20LNAX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:17nC @ 10V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:637pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:15W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 毫欧 @ 8A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2） 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 标准包装:1 PMPB40SNA,115 PMPB43XPE,115 PMPB45EPAX PMPB47XP,115 PMPB48EP,115 PMPB50ENEAX PMPB55ENEAX PMPB55XNEAX PMPB85ENEA/FX PMPB85ENEAX PMPB95ENEA/FX PMPB95ENEAX PMP-BUCKET PMPF-1P PMPF-1PF PMR01ZZPJ000 PMR01ZZPJU10L PMR03EZPFU10L0
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