PMN35EN,125

配单专家企业名单

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封装
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说明
操作

PMN35EN,125
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
12150
NXP
SOT457
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

PMN35EN,125
甄芯网
甄芯网
联系人：柯先生/赵小姐
电话：0755-83665813
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部：中航路都会电子3C002B
资质：营业执照
9000
NXP
N/A
-
低至：￥0.719[国外订货]

PMN35EN,125
深圳市泽芯微科技有限公司
深圳市泽芯微科技有限公司
联系人：柯小姐
电话：0755-8273028382732023
地址：中航路新亚洲国利大厦A座24层12室
6150
nxp
sot457
2017+pb
-
进口原装现货，一定自己库存

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功能描述
MOSFET N-Chan 30V 5.1A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

PMN35EN,125 技术参数

PMN34UP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停產 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:23nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1950pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:540mW（Ta），6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:40 毫欧 @ 2.4A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74，SOT-457 标准包装:1 PMN34UN,135 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:46 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:790pF @ 25V 功率 - 最大值:1.75W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PMN34LN,135 功能描述:MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:34 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PMN30XPX 功能描述:MOSFET P-CH 20V SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:23nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1575pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:550mW（Ta）, 6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:34 毫欧 @ 5.2A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74，SOT-457 标准包装:1 PMN30UNX 功能描述:MOSFET N-CH 20V SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:635pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:530mW（Ta）, 4.46W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:40 毫欧 @ 4.5A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74，SOT-457 标准包装:1 PMN45EN,135 PMN45EN,165 PMN48XP,115 PMN48XP,125 PMN48XPAX PMN49EN,135 PMN49EN,165 PMN50UPE,115 PMN50XP,165 PMN52XPX PMN55LN,135 PMN6-3R-2K PMN6-5R-2K PMN70EPEX PMN70XPE,115 PMN70XPEAX PMN70XPX PMN80XP,115